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快速充電器 快充 (兼容標(biāo)準(zhǔn)和私有協(xié)議) 充電器
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快充 (兼容標(biāo)準(zhǔn)和私有協(xié)議) 充電器

輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協(xié)議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個(gè)或多個(gè) USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時(shí)為智能手機(jī)、平板、智能手表及筆記本電腦等萬物互聯(lián)數(shù)字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導(dǎo)體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設(shè)計(jì)，體積小巧以及使用時(shí)溫度不會燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機(jī) OEM 不把充電器隨著新款手機(jī)一起標(biāo)配而形成曲棍球棒效應(yīng)，使得這類小巧的快充充電器成為市場主流。

市場上的快充充電器，常用的交直流電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涫?Flyback 及 LLC。Flyback 拓?fù)涑Ｒ娪诠β时容^小的設(shè)計(jì)，LLC 拓?fù)鋭t常見于功率較大及對交直流電源轉(zhuǎn)換效率要求較高的設(shè)計(jì)。因?yàn)?BOM 相對 LLC 拓?fù)浔容^簡單，ACF-Flyback 拓?fù)湟查_始被中/小功率的設(shè)計(jì)采用，特別是初級使用高壓氮化鎵 HEMT 的設(shè)計(jì)。無論是那種拓?fù)?，快充充電器的?nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖大概如上：

針對快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產(chǎn)生過壓的快恢復(fù)整流管、原邊 PFC (75W 以上的設(shè)計(jì)) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護(hù)等。

Product
Name		 Charger's
O/P (W)		 IF(AV)_Max
(A)		 VRRM_Max
(V)		 IFSM_Max
(A)		 VF_Max
(V)		 @ IF
(A)		 IR_Max
(mA)		 CJ_Max
(pF)		 trr_Max
(ns)		 Package
RS1010FL 20 ~ 65 1.0 1000 25 1.3 1.0 5.0 7.0 500 SOD-123FL
RS1MAF 20 ~ 65 1.0 1000 30 1.3 1.0 5.0 7.0 500 SMAF
RS3MB 90 ~ 120 3.0 1000 100 1.3 3.0 5.0 30.0 500 SMB
US5M 90 ~ 120 5.0 1000 125 1.7 5.0 5.0 35.0 75 SMC
Product
Name		 Pin(s)
Protected		 Direction VRWM_Max
(V)		 VBR_Min
(V)		 VC_Max
(V)		 @ IPP
(A)		 IR_Max
(mA)		 PPP_Max
(W)		 VESD-Air_Max
(kV)		 VESD-Contact_Max
(kV)		 CJ_Typ
(pF)		 Package
JEU24P3 VBUS Uni-dir 24.0 26.0 35.0 200 0.50 5,100 ±30 ±30 750 DFN2x2-3L
JEU12N3 VBUS Uni-dir 12.0 13.0 32.0 180 1.00 4,500 ±30 ±30 950 DFN2x2-3L
JEU12T2BL CC0 / CC1 Uni-dir 12.0 13.0 26.0 20 0.15 500 ±30 ±30 90 SOT23
JEU05T2B CC0 / CC1 Uni-dir 5.0 6.0 16.7 18 1.00 350 ±15 ±8 150 SOT23
JEB12C D+ / D- Bi-dir 12.0 13.3 30.0 12 1.00 350 ±30 ±30 1.0 SOD-323
JEB03CX D+ / D- Bi-dir 3.3 3.6 17.5 20 0.10 350 ±30 ±30 1.0 SOD-323

不論在原邊使用的是傳統(tǒng)的超結(jié)高壓 MOSFET、或是日益受電路設(shè)計(jì)工程師及消費(fèi)者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓?fù)涞母边?，捷捷微電先進(jìn) JHFET? 技術(shù)平臺超結(jié) (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開關(guān)、先進(jìn) JSFET? 技術(shù)平臺的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C? 端口電流輸出開關(guān)等位置，都能提供穩(wěn)定可靠而高功效的運(yùn)作。

建立在 JHFET 技術(shù)平臺的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產(chǎn)品均百分百通過 UIS 測試。建立在 JSFET 技術(shù)平臺的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產(chǎn)品均百分百通過 UIS 測試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區(qū)域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應(yīng)用中存在的 軟/硬開關(guān)、電感負(fù)載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性，是因?yàn)榻萁菸㈦姷淖杂兄R產(chǎn)權(quán) JSFET 及 JHFET 技術(shù)平臺，各項(xiàng)工藝參數(shù)早已躋身國際一流水平。

Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMH65R190APLN DFN8080-4L - SJ N 650 17 3.5 169 190 ±20 1,560 38.0 405 6,422 for POUT > 100W
JMH65R190AF TO-220FP-3L - SJ N 650 20 3.5 170 190 ±20 1,560 38.0 405 6,460 for POUT > 100W
JMH65R290APLN DFN8080-4L - SJ N 650 10 3.5 262 290 ±20 1,056 22.0 281 5,764 for POUT≤100W
JMH65R290ACFP TO-220FP-NL - SJ N 650 12 3.5 260 290 ±20 1,056 22.0 281 5,720 for POUT ≤ 100W
JMH65R430APLN DFN8080-4L - SJ N 650 10 3.5 370 430 ±20 703 18.4 180 6808 for POUT≤ 65W
JMH65R430AF TO-220FP-3L - SJ N 650 11 3.5 364 430 ±20 703 18.4 180 6,698 for POUT ≤ 65W
JMH65R430ACFP TO-220FP-NL - SJ N 650 11 3.5 364 430 ±20 703 18.4 180 6,698 for POUT≤ 65W
JMH65R430AK TO-252-3L DPAK SJ N 650 11 3.5 370 430 ±20 703 18.4 180 6,808 for POUT≤ 65W
JMH65R490AFFD TO-220FP-3L - SJ N 650 5 3.5 430 490 ±20 677 20.0 180 8,600 for POUT≤45W
JMH65R980AFFD TO-220FP-3L - SJ N 650 4 3.5 895 980 ±20 343 10.1 72 9,040 for POUT≤ 20W
JMH65R980AK TO-252-3L - SJ N 650 4 3.5 900 980 ±20 333 9.7 80 8,730 for POUT≤20W
Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMSL0609AP SOP-8L SOP-8 SGT N 60 14 1.7 7.5 9.5 ±20 1,083 17.2 34 129 for POUT < 65W
JMSL0609AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 60 43 1.5 7.2 9.4 ±20 1,087 16.6 34 120 for POUT < 65W
JMSL1003AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 135 1.6 2.8 3.4 ±20 4,646 78.0 259 218 for POUT ≥ 100W
JMSL1004BG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 117 1.7 3.4 4.1 ±20 3,709 13.9 20 47 for POUT ≥ 100W
JMSL1006AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 108 1.9 4.7 5.9 ±20 2,604 42.0 110 197 for POUT≥ 65W
JMSH1006AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 102 2.7 5.3 6.6 ±20 2,369 38.0 110 201 for POUT≥ 65W
JMSL1008AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 93 1.7 6.0 7.6 ±20 2,200 34.0 101 204 for POUT < 65W
JMSL1009AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 75 1.7 7.0 8.2 ±20 1,314 25.0 86 175 for POUT < 65W
JMSL1010AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 58 1.9 8.0 10.0 ±20 1,535 26.0 94 208 for POUT < 65W
JMSL1018AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 100 35 1.9 14.5 18.2 ±20 769 13.0 29 189 for POUT < 65W
JMSL1018AP SOP-8L SOP-8L SGT N 100 8 1.9 15.8 19.8 ±20 769 12.7 24 201 for POUT < 30W
JMSH1207AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 120 94 3.0 5.6 7.0 ±20 2,208 35.0 135 196 for POUT ≥ 65W
JMSH1509AG PDFN5x6-8L SuperSO8 SGT N 150 75 3.0 8.5 9.9 ±20 2,181 30.0 231 255 for POUT < 65W
Product
Name		 JJM
Package		 Compatible
Industry-Common
Package		 Platform Configuration VDS_Max
(V)		 ID_Max
(A)		 VGS(th)_Typ
(V)		 RDS(ON)_Typ
@ VGS=10V
(mΩ)		 RDS(ON)_Max
@ VGS=10V
(mΩ)		 VGS_Max
(V)		 Ciss_Typ
(pF)		 Qg_Typ
(nC)		 EAS_Max
(mJ)		 FOM Applicability
JMTQ080P03A PDFN3x3-8L PQFN 3x3 Trench P -30 -45 -1.5 5.8 7.3 ±20 4,650 45.0 144 261 for IOUT≥3A_D
JMTQ100P03A PDFN3x3-8L PQFN 3x3 Trench P -30 -40 -1.6 7.5 10.0 ±20 3,564 37.0 121 278 for IOUT < 3A
JMSL0302AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 145 1.7 1.2 1.5 ±20 2,975 39.0 101 47 for IOUT≥ 5A
JMSL0302BU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 135 1.6 1.5 1.9 ±20 2,526 40.0 94 60 for IOUT ≥ 5A
JMSL0303AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 119 1.6 1.8 2.2 ±20 2,091 32.0 61 58 for IOUT≥ 5A
JMSL0310AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 60 1.7 4.0 5.0 ±20 866 13.5 20 54 for IOUT < 5A
JMSL0315AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 30 43 1.7 7.0 8.8 ±20 468 7.7 9 54 for IOUT < 3A
JMSL0315AUD PDFN3x3-8L_D - SGT N + N 30 36 1.7 8.8 11.0 ±20 468 7.7 9 68 for IOUT ≤ 2A
JMSL0402AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 119 1.5 2.0 2.5 ±20 2,131 36.0 126 72 for IOUT ≥ 5A
JMSL0403AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 99 1.6 2.5 3.1 ±20 1,424 22.0 79 55 for IOUT≤ 5A
JMSL0406AU PDFN3x3-8L PQFN 3x3 SGT N 40 55 1.7 4.5 5.6 ±20 1,204 17.9 36 81 for IOUT < 5A

目前捷捷微電主要聚焦在消費(fèi)類、電腦及周邊、工業(yè)用、通信用、及車用等的終端市場。因?yàn)樯钪a(chǎn)品必需跟應(yīng)用掛鉤，捷捷微電一直努力貼近市場和客戶，清楚認(rèn)識那些 JSFET 及 JHFET 的參數(shù)和特性，能讓客戶的產(chǎn)品兼具高能效和長期可靠性，同時(shí)又保持高性價(jià)比。消費(fèi)者對體積和重量的不斷追求，因而移動(dòng) 3C (computing, communications, consumer electronics) 終端的充電器越來越短小，有限的內(nèi)殼空間使工作溫度升高，造成充電器內(nèi)部所用器件的穩(wěn)定性和效能方面的要求極為嚴(yán)苛。JSFET 及 JHFET輕松解決了電路設(shè)計(jì)工程師所面臨，合理成本和高電源轉(zhuǎn)換效率這兩個(gè)衝突的難題。JSFET 及 JHFET 采用先進(jìn)封裝如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，優(yōu)化的框架和引接工藝不僅有效地増強(qiáng)熱應(yīng)力處理、低降熱阻，同時(shí)也提升質(zhì)量和可靠性，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且不含鹵素。

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